rohs仪检测性能EDX1800E可采集大容量计数，可减少采集时间的数字与传统的模拟是两代处理器术，术水平般差十年。模拟脉冲处理器般信号处理模式，死时间仅容许30%。

rohs仪检测性能EDX1800E

仪器的性能
是购买仪器很重要的个标
1、简单介绍下仪器心脏，探测器。
为什么仪器的价格会相差那么远，很大原因就因为这个。
依分辨率低档次由低至常用的探测器有NaI晶体闪烁计数器，充气（He,Ne,Ar,Kr,Xe等）正比计数管器、HgI2晶体探测器、半导体致冷SiPIN探测器、纯硅晶体探测器、纯锗晶体探测器、电致冷或液氮致冷Si（Li）锂漂移硅晶体探测器、Ge（Li）锂漂移锗探测器等。目前常用的是电致冷或液氮致冷Si（Li）锂漂移硅晶体探测器、SiPIN探测器、纯硅晶体探测器。探测器的性能主要体现在对荧光探测的检出限、分辨率、探测能量范围的大小等方面。所以你要仪器的检出限好你就要看它了。
低档探测器有效检测元素数量少，对被测物质中微量元素较难检测，分辨率般在700－1100eV，般可分析材料基体中元素数量较少，元素间相邻较远，含量较的单个元素。
中档探测器有效检测元素数量稍多，对痕量元素较难检测，分辨率般在200－300eV，般用于检测的对象元素不是相邻元素，元素相邻较远（至少相隔1-2个元素以上），基体内各元素间影响较小。
探测器可以同时对不同浓度所有元素（般从Na至U）行检测，分辨率般在150－180eV。可同时测定元素周期表中Na-U范围的何元素。对痕量检测可达几个ppm量。
前面那两档检测器，不能符合RoHS的要求，很多生产xrf的公司都宣称他们的仪器能对Na到U元素行检测，但测试的时候能把na到u元素分开吗，我们都知道相邻元素会互相干扰，如果干扰了，你说做出来的数据会准确吗？
SiPIN探测器、纯硅晶体探测器的分辨率般是200eV–270eV，电致冷或液氮致冷Si（Li）锂漂移硅晶体探测器的分辨率为140eV–165eV.电制冷不需要消耗液氮，但他制冷艺复杂，价格也zui贵，靠消耗电来制冷，分辨率比液氮稍逊，但也符合rohs检测的要求。液氮制冷需消耗液氮，使用起来不方便，但液氮的温度很低，操作者须注意安，但它的分辨率比电制冷稍好。这里我们还要看探测器的面积，探测器面积越大，效率越。测试的时间就越短。市面上探测器面积有5—15mm2不等。很多XRF厂商都宣称他们的仪器测试时间是3分钟，是出个可靠的数据3分钟吗，还是减少测试条件，具体减少滤光片的转换次数和livetime来达到减少测试时间。的确很多XRF的测试时间能达到3分钟，但出的数据是很差的。只有少数仪器能达到这个水平。测试时间对RoHS这个行业也是很重要的，因为很多厂家的需检测的产品多，天可能有300多个，甚至更多。如果购买了了台低效率的XRF，你可能要再买几个才能满足你的测试量。
2、X光管
X光管也XRF的核心件之。大多数XRF厂商奉行拿来主义，做的就是组装贴个的作。其性能寿命和分别的成本般是5000小时合几千美金。而的X光管寿命般在10年以上，成本当然也达10多人民币；就检测器SiLi电制冷的，寿命同样会在10年以上，成本至少15人民币。
3、处理器
分为两种：数字脉冲处理器和模拟脉冲处理器，前者在数据处理处理上速度好。数字脉冲处理快线路处理，容许死时间达60%。
可采集大容量计数，可减少采集时间的数字与传统的模拟是两代处理器术，术水平般差十年。模拟脉冲处理器般信号处理模式，死时间仅容许30%。不能行通量信号处理，为获得大的计数须延长采集时间。
4、滤光片
滤光片多，可以有选择的降低信噪比，对痕量分析十分有用。

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